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| IRF3707ZCLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 30V 59A 9.5mOhm 9.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF3707ZCLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 30V, 59A, 9.5 MOHM, 9.7 NC QG, TO-262 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF3707ZCLPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 59A TO-262 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 59A TO-262 详细描述：通孔 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） TO-262 型号：IRF3707ZCLPBF 仓库库存编号：IRF3707ZCLPBF-ND 别名：*IRF3707ZCLPBF <br>SP001571386 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | IR Hexfet TO-262 |
| 标准包装 ： | 50 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 59A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 9.5 毫欧 @ 21A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.25V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 15nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1210pF @ 15V |
| 功率 - 最大 ： | 57W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 ： | TO-262 |
| 包装 ： | 管件 |
