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| IRF3706STRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF3706STRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 20V, 77A, 8.5 MOHM, 23 NC QG, D2-PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF3706STRLPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK 型号：IRF3706STRLPBF 仓库库存编号：IRF3706STRLPBF-ND 别名：SP001561768 <br> | | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 800 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 8.5 毫欧 @ 15A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 35nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 2410pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 88W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | D2PAK |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
