型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF1324PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF1324PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF1324PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF1324PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRF1324PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRF1324PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRF1324PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF1324PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1324PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1324PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH 24V 195A TO220
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF1324PBF [更多] | Infineon Technologies AG | RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF1324PBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRF1324PBF N-channel MOSFET Transistor,353 A, 24 V, 3-Pin TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF1324PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 300 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF1324PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 24V, 353A, 300W, TO220AB, HEXFET?
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IRF1324PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB 详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB 型号:IRF1324PBF 仓库库存编号:IRF1324PBF-ND 别名:SP001561460 <br> | 无铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: IRF1324PBF 品牌: Infineon 库存编号: 688-6807 | 搜索 |
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![]() | IR MOSFET N, 24 V 353 A 300 W TO-220, IRF1324PBF, IR 型号:IRF1324PBF 仓库库存编号:171-02-373 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF1324PBF![]() | 1698281 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 24 V, 0.0012 ohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
产品目录绘图 : | IR Hexfet TO-220AB |
标准包装 : | 50 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 24V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 195A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 1.5 毫欧 @ 195A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 240nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 7590pF @ 24V |
功率 - 最大 : | 300W |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | TO-220-3 |
供应商设备封装 : | TO-220AB |
包装 : | 管件 |