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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRF1324PBF - MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
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IRF1324PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB

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IRF1324PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg

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Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRF1324PBF)

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Trans MOSFET N-CH 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRF1324PBF)

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Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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MOSFET, N-CH 24V 195A TO220

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IRF1324PBF N-channel MOSFET Transistor,353 A, 24 V, 3-Pin TO-220AB

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International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 300 W

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 24V, 353A, 300W, TO220AB, HEXFET?

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International Rectifier
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International Rectifier
MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
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Infineon Technologies - IRF1324PBF - MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB

详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB

型号:IRF1324PBF
仓库库存编号:IRF1324PBF-ND
别名:SP001561460 <br>

无铅
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Infineon - IRF1324PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1324PBF, 353 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号:
IRF1324PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6807
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IR - IRF1324PBF - MOSFET N, 24 V 353 A 300 W TO-220, IRF1324PBF, IR
IR
MOSFET N, 24 V 353 A 300 W TO-220, IRF1324PBF, IR


型号:IRF1324PBF
仓库库存编号:171-02-373

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRF1324PBF
INFINEON IRF1324PBF
1698281

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 24 V, 0.0012 ohm, 10 V, 4 V

(EN)
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IRF1324PBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF1324PBF
制造商型号: IRF1324PBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : IR Hexfet TO-220AB
标准包装 : 50
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 24V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 195A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 1.5 毫欧 @ 195A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 240nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 7590pF @ 24V
功率 - 最大 : 300W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-220-3
供应商设备封装 : TO-220AB
包装 : 管件

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