| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRF1010NSPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF1010NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRF1010NSPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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| IRF1010NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF1010NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 55 V 11 mOhm 120 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRF1010NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 11 Milliohms, ID 85A, D2Pak, PD 180W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010NSPBF [更多] | International Rectifier |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 55V, 84A, 3.8W, D2PAK, HEXFET?
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF1010NSPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF1010NSPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK  | 查价格库存 查看详细 |
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 | IRF1010NSPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
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 | IR MOSFET N, 55 V 60 A 180 W D2PAK, IRF1010NSPBF, IR 型号：IRF1010NSPBF 仓库库存编号：171-38-779 | | 搜索 |
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| 制造商零件编号： IRF1010NSPBF 品牌： Infineon 库存编号： 541-2874 | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 50 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 11 毫欧 @ 43A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 120nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 3210pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 180W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | D2PAK |
| 包装 ： | 管件 |
