| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010EZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010EZLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 60V, RDS(ON) 6.8Milliohms, ID 84A, TO-262, PD 140W, VGS +/-2 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF1010EZL | International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 75A TO-262 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF1010EZL International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 75A TO-262  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 75A TO-262 详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-262 型号：IRF1010EZL 仓库库存编号：IRF1010EZL-ND 别名：*IRF1010EZL <br> | | 搜索 |
| Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 75A TO-262 详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-262 型号：IRF1010EZLPBF 仓库库存编号：IRF1010EZLPBF-ND 别名：*IRF1010EZLPBF <br>SP001574512 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 50 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 8.5 毫欧 @ 51A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 86nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 2810pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 140W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 ： | TO-262 |
| 包装 ： | 管件 |
