| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010EPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF1010EPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010EPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| IRF1010EPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRF1010EPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRF1010EPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF1010EPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRF1010EPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF1010EPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220
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| IRF1010EPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 60 V 12 mOhm 130 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| IRF1010EPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 60 V 12 mOhm 130 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010EPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 60V, RDS(ON) 12 Milliohms, ID 84A, TO-220AB, PD 200W, gFS 69S RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF1010EPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 81A, 170W, TO220AB, HEXFET?
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| IRF1010EPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF1010EPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB  | 查价格库存 查看详细 |
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| IRF1010EPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB 型号：IRF1010EPBF 仓库库存编号：IRF1010EPBF-ND 别名：*IRF1010EPBF <br>SP001569818 <br> | | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF1010EPBF | 8647968 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
IRF1010EPBF | 2565814 | INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 12 Milliohms; ID 84A; TO-220AB; PD 200W; gFS 69S 型号：IRF1010EPBF 仓库库存编号：70016934 |  | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 50 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 84A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 12 毫欧 @ 50A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 130nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 3210pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 200W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 ： | TO-220AB |
| 包装 ： | 管件 |
