| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPP80N04S3H4AKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CHANNEL_30/40V
| 搜索 |
| IPP80N04S3-H4 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IPP80N04S3-H4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPP80N04S3-H4 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IPP80N04S3-H4 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPP80N04S3-H4 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 标准包装 ： | 500 |
| 系列 ： | OptiMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 4.8 毫欧 @ 80A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 65µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 60nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 115W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 ： | PG-TO220-3 |
| 包装 ： | 管件 |
