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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Infineon Technologies - IPP60R600E6 - MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
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IPP60R600E6|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IPP60R600E6
制造商型号: IPP60R600E6
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品培训模块 : CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装 : 500
系列 : CoolMOS™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 600 毫欧 @ 2.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 7.3A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3.5V @ 200µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 20.5nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 440pF @ 100V
功率 - 最大 : 63W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-220-3
供应商设备封装 : PG-TO220-3
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IPP60R600E6
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