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| IPI80N06S3L-05 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 55V 80A I2PAK-3 RoHS: Compliant | 搜索 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO262-3 型号：IPI80N06S3L-05 仓库库存编号：IPI80N06S3L-05IN-ND 别名：IPI80N06S3L-05-ND <br>IPI80N06S3L-05IN <br>IPI80N06S3L05X <br>IPI80N06S3L05XK <br>SP000102204 <br> | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 产品目录绘图 ： | Mosfets TO-262 |
| 标准包装 ： | 500 |
| 系列 ： | OptiMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 4.8 毫欧 @ 69A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.2V @ 115µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 273nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 13060pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 165W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 ： | PG-TO262-3 |
| 包装 ： | 管件 |
