型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IPD5N03LAG | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11 详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) PG-TO252-3 型号:IPD5N03LAG 仓库库存编号:IPD5N03LAGINCT-ND 别名:IPD5N03LAGINCT <br>IPDH5N03LAGINCT <br>IPDH5N03LAGINCT-ND <br> | 无铅 | 搜索 |
标准包装 : | 1 |
系列 : | OptiMOS™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 25V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 50A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 5.2 毫欧 @ 50A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2V @ 35µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 22nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 2653pF @ 15V |
功率 - 最大 : | 83W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
供应商设备封装 : | PG-TO252-3 |
包装 : | 剪切带 (CT) |