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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Infineon Technologies - IPD50R399CP - MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
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Trans MOSFET N-CH 550V 9A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD50R399CPATMA1)

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IPD50R399CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 550V 9A TO-252 查看库存、价格及货期
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Infineon Technologies - IPD50R399CP - MOSFET N-CH 550V 9A TO-252		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3

型号：IPD50R399CP
仓库库存编号：IPD50R399CP-ND
别名：SP000234984 <br> 		无铅搜索
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IPD50R399CP
INFINEON IPD50R399CP		1664024

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 550 V, 0.36 ohm, 10 V, 3 V

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IPD50R399CP
INFINEON IPD50R399CP		1664024RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 550 V, 0.36 ohm, 10 V, 3 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IPD50R399CP - Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R399CP, 9 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
制造商零件编号：
IPD50R399CP
品牌：
Infineon
库存编号：
825-9174
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IPD50R399CP|INFINEONIPD50R399CP
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 TO-252
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无图IPD50R399CPXT
Infineon Technologies		原厂原装货
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INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 TO-252
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IPD50R399CP|Infineon Technologies
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IPD50R399CP
制造商型号： IPD50R399CP
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品培训模块 ： CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装 ： 2,500
系列 ： CoolMOS™
FET 型 ： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 ： 标准型
漏极至源极电压(Vdss) ： 550V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： 399 毫欧 @ 4.9A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） ： 3.5V @ 330µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ： 23nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 890pF @ 100V
功率 - 最大 ： 83W
安装类型 ： 表面贴装
封装/外壳 ： TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 ： PG-TO252-3
包装 ： 带卷 (TR)

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