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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Infineon Technologies - IPA65R190CFD - MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
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MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220

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MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220FP CoolMOS CFD2

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MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther

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, MOSFET, N, 700V, 17.5A, TO-220-3

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 650V, 17.5A, 34W, TO220FP

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Infineon Technologies - IPA65R190CFD - MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220

详细描述:通孔 N 沟道 17.5A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包

型号:IPA65R190CFD
仓库库存编号:IPA65R190CFD-ND
别名:IPA65R190CFDXKSA1 <br>SP000905382 <br>

无铅
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Infineon - IPA65R190CFD - Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R190CFD, 17.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号:
IPA65R190CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7738
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IPA65R190CFD|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IPA65R190CFD
制造商型号: IPA65R190CFD
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 500
系列 : CoolMOS™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 17.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 190 毫欧 @ 7.3A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4.5V @ 730µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 68nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1850pF @ 100V
功率 - 最大 : 34W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-220-3 整包
供应商设备封装 : PG-TO220 全封装
包装 : 管件

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