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| IMB11AT110 [更多] | ROHM Semiconductor | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 搜索 |
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| IMB11AT110 | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL PNP 50V 50MA SOT-457 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IMB11AT110 ROHM | 双晶体管 SC-74 PNP/PNP  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Rohm Semiconductor TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 型号：IMB11AT110 仓库库存编号：IMB11AT110CT-ND 别名：IMB11AT110CT <br> | | 搜索 |
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IMB11AT110 | 1680324 | ROHM 晶体管 双极预偏置/数字, 双路 PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm (EN) | 搜索 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | SOT-457 Package Top |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| 晶体管类型 ： | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） ： | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） ： | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） ： | 10K |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） ： | 10K |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) ： | 30 @ 5mA, 5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） ： | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） ： | 500nA |
| 频率 - 转换 ： | 250MHz |
| 功率 - 最大 ： | 300mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | SC-74, SOT-457 |
| 供应商设备封装 ： | SMT6 |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
