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分离式半导体 - IGBT - 单路 - Fairchild Semiconductor - HGTG11N120CND - IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247
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HGTG11N120CND|Fairchild Semiconductor
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HGTG11N120CND
制造商型号: HGTG11N120CND
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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详细参数
产品培训模块 : High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告 : Lead Frame Change 20/Dec/2007
标准包装 : 150
系列 : -
IGBT 类型 : NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开) : 2.4V @ 15V, 11A
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 43A
功率 - 最大 : 298W
输入类型 : 标准型
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-247-3
供应商设备封装 : TO-247
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: HGTG11N120CND
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