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分离式半导体 - IGBT - 单路 - Fairchild Semiconductor - HGT1S2N120CN - IGBT NPT N-CH 1200V 13A I2PAK
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HGT1S2N120CN|Fairchild Semiconductor
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HGT1S2N120CN
制造商型号: HGT1S2N120CN
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: IGBT NPT N-CH 1200V 13A I2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : IGBT I2PAK Package
标准包装 : 50
系列 : -
IGBT 类型 : NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开) : 2.4V @ 15V, 2.6A
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 13A
功率 - 最大 : 104W
输入类型 : 标准型
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装 : I2PAK
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: HGT1S2N120CN
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