产品目录绘图 : | IR(F,L)D Series Top IR(F,L)D Series Side 1 IR(F,L)D Series Side 2 |
标准包装 : | 2,500 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | Standard |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 3 欧姆 @ 220mA, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 500V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 370mA |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 24nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 360pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 1W |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | 4-DIP(0.300", 7.62mm) |
供应商设备封装 : | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
包装 : | 管件 |